Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK20V60W5,LVQ
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK20V60W5,LVQ за ціною від 99.56 грн до 324.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.54 грн
10+197.72 грн
100+139.14 грн
500+107.10 грн
1000+99.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 5CEACDAB6EFFDCF261E07C48E096E2022F4CB0A4178759059FCB60B198EF96BC.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.22 грн
10+245.35 грн
100+155.09 грн
500+143.28 грн
1000+129.11 грн
2500+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 88377891097307178837785425919503tk20v60w5_datasheet_en_20160108.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 88377891097307178837785425919503tk20v60w5_datasheet_en_20160108.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 88377891097307178837785425919503tk20v60w5_datasheet_en_20160108.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.