TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=28825&prodName=TK20V60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.04 грн
10+194.73 грн
50+151.08 грн
100+128.58 грн
500+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK20V60W5,LVQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba 5CEACDAB6EFFDCF261E07C48E096E2022F4CB0A4178759059FCB60B198EF96BC.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 4-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ docget.jsp?did=28825&prodName=TK20V60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ 5CEACDAB6EFFDCF261E07C48E096E2022F4CB0A4178759059FCB60B198EF96BC.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 4-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.