Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK20V60W5,LVQ
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+94.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK20V60W5,LVQ за ціною від 90.33 грн до 211.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.63 грн
10+ 156.32 грн
100+ 126.47 грн
500+ 105.5 грн
1000+ 90.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba TK20V60W5_datasheet_en_20160108-1916410.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.91 грн
10+ 176.22 грн
25+ 144.65 грн
100+ 123.52 грн
250+ 116.91 грн
500+ 109.64 грн
1000+ 93.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 88377891097307178837785425919503tk20v60w5_datasheet_en_20160108.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 88377891097307178837785425919503tk20v60w5_datasheet_en_20160108.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 88377891097307178837785425919503tk20v60w5_datasheet_en_20160108.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 5-Pin DFN EP T/R
товар відсутній