Продукція > TOSHIBA > TK210V65Z,LQ(S
TK210V65Z,LQ(S

TK210V65Z,LQ(S Toshiba

tk210v65z_datasheet_en_20201016.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+179.56 грн
82+172.71 грн
100+166.86 грн
250+156.01 грн
500+140.52 грн
1000+131.60 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK210V65Z,LQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 130W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK210V65Z,LQ(S за ціною від 134.87 грн до 226.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK210V65Z,LQ(S TK210V65Z,LQ(S Toshiba tk210v65z_datasheet_en_20201016.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 5-Pin DFN EP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+226.66 грн
88+160.16 грн
105+134.87 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(S TK210V65Z,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(S TK210V65Z,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(S tk210v65z_datasheet_en_20201016.pdf
TK210V65Z,LQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 5-Pin DFN EP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+226.66 грн
88+160.16 грн
105+134.87 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(S
TK210V65Z,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK210V65Z,LQ(S
TK210V65Z,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK210V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.175 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 130W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.