
TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.72 грн |
50+ | 80.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK22A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK22A10N1,S4X за ціною від 36.18 грн до 149.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK22A10N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK22A10N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |