Продукція > TOSHIBA > TK22E10N1,S1X(S
TK22E10N1,S1X(S

TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA07696DE3EA18&compId=TK22E10N1.pdf?ci_sign=32e97cc616b7f12d6e68551f185a9fc0e17142a5 Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.83 грн
10+49.99 грн
22+43.23 грн
59+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK22E10N1,S1X(S за ціною від 47.67 грн до 150.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885FA07696DE3EA18&compId=TK22E10N1.pdf?ci_sign=32e97cc616b7f12d6e68551f185a9fc0e17142a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.27 грн
5+70.82 грн
10+59.99 грн
22+51.88 грн
59+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S Виробник : TOSHIBA 3934665.pdf Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.68 грн
10+147.29 грн
100+83.89 грн
500+51.80 грн
1000+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S Виробник : Toshiba 2002docget.jsplangenpidtk22e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk22e10n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S Виробник : Toshiba 2002docget.jsplangenpidtk22e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk22e10n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.