Продукція > TOSHIBA > TK22E10N1,S1X(S

TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA

Name: TK22E10N1,S1X(S
Brand: TOSHIBA
SKU: 4906611-6
Price: 846.72 UAH
Availability: InStock

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	141.12 грн
11+	80.47 грн
100+	69.90 грн
500+	47.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK22E10N1,S1X(S

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
TK22E10N1,S1X(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine	на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TK22E10N1,S1X(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TK22E10N1,S1X(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 72W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TK22E10N1,S1X(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 72W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.