TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 52A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 52A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc).
Інші пропозиції TK22E10N1,S1X за ціною від 41.84 грн до 147.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK22E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|