TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V.
Інші пропозиції TK25A20D,S5X за ціною від 57.60 грн до 199.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK25A20D,S5X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|