Інші пропозиції TK25A60X,S5X за ціною від 156.05 грн до 304.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK25A60X,S5X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
TK25A60X,S5X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
TK25A60X,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
TK25A60X,S5X | Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 156.05 грн |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 156.05 грн |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.12 грн |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





