Інші пропозиції TK25A60X,S5X за ціною від 155.70 грн до 306.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK25A60X,S5X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
TK25A60X,S5X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
TK25A60X,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SISInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
TK25A60X,S5X | Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 155.70 грн |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 155.70 грн |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 306.97 грн |
| TK25A60X,S5X |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





