Продукція > TOSHIBA > TK25E60X,S1X(S
TK25E60X,S1X(S

TK25E60X,S1X(S Toshiba

11161docget.jsplangenpidtk25e60xtypedatasheet.jsplangenpidtk25e60xtype.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+363.31 грн
44+326.50 грн
50+284.30 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK25E60X,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 180W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції TK25E60X,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK25E60X,S1X(S TK25E60X,S1X(S TOSHIBA TOSCS51419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 180W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(S) TK25E60X,S1X(S) Toshiba 11161docget.jsplangenpidtk25e60xtypedatasheet.jsplangenpidtk25e60xtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(S TOSCS51419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK25E60X,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK25E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 180W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X(S) 11161docget.jsplangenpidtk25e60xtypedatasheet.jsplangenpidtk25e60xtype.pdf
TK25E60X,S1X(S)
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.