TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 411.43 грн |
| 30+ | 239.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK25N60X5,S1F за ціною від 186.86 грн до 465.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK25N60X5,S1F | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK25N60X5,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine |
товару немає в наявності |