TK28A65W,S5X(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK28A65W,S5X(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK28A65W,S5X(M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK28A65W,S5X(M | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK28A65W,S5X(M |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)