| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 399.57 грн |
| 10+ | 207.04 грн |
| 100+ | 179.33 грн |
| 500+ | 156.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK28A65W,S5X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK28A65W,S5X за ціною від 197.65 грн до 424.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK28A65W,S5X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SISInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|