
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 427.35 грн |
50+ | 217.61 грн |
100+ | 198.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK28A65W,S5X за ціною від 163.32 грн до 440.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK28A65W,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK28A65W,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
TK28A65W,S5X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |