TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 555.37 грн |
| 30+ | 310.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK28N65W,S1F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK28N65W,S1F | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TK28N65W,S1F | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
товару немає в наявності |