Продукція > TOSHIBA > TK28V65W,LQ(S
TK28V65W,LQ(S

TK28V65W,LQ(S TOSHIBA

3934679.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+230.25 грн
500+197.71 грн
1000+171.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK28V65W,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK28V65W,LQ(S за ціною від 171.19 грн до 361.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK28V65W,LQ(S TK28V65W,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3934679.pdf Description: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.47 грн
10+262.44 грн
100+230.25 грн
500+197.71 грн
1000+171.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK28V65W,LQ(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.