TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 171.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK28V65W,LQ за ціною від 201.84 грн до 525.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK28V65W,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
на замовлення 4966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK28V65W,LQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
TK28V65W,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
товару немає в наявності |