TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.62 грн |
| 50+ | 102.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK290A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK290A65Y,S4X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK290A65Y,S4X | Toshiba |
MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TK290A65Y,S4X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK290A65Y,S4X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK290A65Y,S4X |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK290A65Y,S4X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK290A65Y,S4X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)