TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.50 грн |
| 10+ | 108.03 грн |
| 100+ | 86.01 грн |
| 500+ | 68.30 грн |
| 1000+ | 57.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TK290P65Y,RQ за ціною від 68.36 грн до 237.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK290P65Y,RQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A |
на замовлення 3673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|