TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.92 грн |
| 50+ | 57.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK2A65D(STA4,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK2A65D(STA4,Q,M) | Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26 |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK2A65D(STA4,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
MOSFETs N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)