на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.62 грн |
| 10+ | 85.04 грн |
| 100+ | 58.20 грн |
| 500+ | 48.17 грн |
| 1000+ | 37.85 грн |
| 5000+ | 36.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK2A65D(STA4,Q,M) за ціною від 59.29 грн до 117.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK2A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| TK2A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |