TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 125.99 грн |
| 13+ | 66.39 грн |
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Технічний опис TK2K2A60F,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK2K2A60F,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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TK2K2A60F,S4X(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 2.2Ω Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 30W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V |
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