TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 378+ | 32.25 грн |
| 406+ | 30.02 грн |
| 407+ | 29.92 грн |
| 500+ | 24.36 грн |
| 1000+ | 21.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: PW-MOLD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK2P60D(TE16L1,NV)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| TK2P60D(TE16L1,NV) | Виробник : Toshiba |
 Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
товару немає в наявності |
||
| TK2P60D(TE16L1,NV) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: PW-MOLD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |