Продукція > TOSHIBA > TK2P60D(TE16L1,NV)
TK2P60D(TE16L1,NV)

TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba

236tk2p60d_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
378+37.23 грн
406+34.65 грн
407+34.53 грн
500+28.12 грн
1000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: PW-MOLD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK2P60D(TE16L1,NV)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK2P60D(TE16L1,NV) TK2P60D_datasheet_en_20131101.pdf?did=2372&prodName=TK2P60D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.