на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 86.39 грн |
| 10+ | 62.82 грн |
| 100+ | 48.23 грн |
| 200+ | 41.29 грн |
| 1000+ | 23.92 грн |
| 5000+ | 21.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2Q60D(Q) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: PW-MOLD2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK2Q60D(Q)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| TK2Q60D(Q) |
 |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
TK2Q60D(Q) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2 |
товару немає в наявності |
|
 |
TK2Q60D(Q) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: PW-MOLD2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |