Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK2R4E08QM,S1X
TK2R4E08QM,S1X

TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.70 грн
50+168.52 грн
100+144.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TK2R4E08QM,S1X за ціною від 146.78 грн до 333.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK2R4E08QM,S1X TK2R4E08QM,S1X Виробник : Toshiba TK2R4E08QM_datasheet_en_20210202-2486533.pdf MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.07 грн
10+256.57 грн
50+146.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.