на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 270.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2R9E10PL,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK2R9E10PL,S1X(S за ціною від 97.32 грн до 279.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK2R9E10PL,S1X(S | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| TK2R9E10PL,S1X(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |