Продукція > TOSHIBA > TK2R9E10PL,S1X(S
TK2R9E10PL,S1X(S

TK2R9E10PL,S1X(S Toshiba

tk2r9e10pl_datasheet_en_20210202.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+311.67 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK2R9E10PL,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 306W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Інші пропозиції TK2R9E10PL,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK2R9E10PL,S1X(S TK2R9E10PL,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 306W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X(S
TK2R9E10PL,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK2R9E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 306W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.