Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > TK2R9E10PL,S1X

TK2R9E10PL,S1X

docget.jsp?did=60422&prodName=TK2R9E10PL
Код товару: 189702
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK2R9E10PL,S1X за ціною від 124.85 грн до 256.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK2R9E10PL,S1X TK2R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60422&prodName=TK2R9E10PL Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.32 грн
50+124.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X TK2R9E10PL,S1X Toshiba D75AD38BA6C7F32C45C6A452CF084DB2305CD0C60FAEFB05606B5A027BC53AB8.pdf MOSFETs Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X docget.jsp?did=60422&prodName=TK2R9E10PL
TK2R9E10PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.32 грн
50+124.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK2R9E10PL,S1X D75AD38BA6C7F32C45C6A452CF084DB2305CD0C60FAEFB05606B5A027BC53AB8.pdf
TK2R9E10PL,S1X
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.