Інші пропозиції TK2R9E10PL,S1X за ціною від 99.69 грн до 313.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
 MOSFETs Power MOSFET ID=240A VDSS=100V |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |