на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.12 грн |
| 10+ | 209.31 грн |
| 100+ | 146.78 грн |
| 500+ | 130.64 грн |
| 1000+ | 111.55 грн |
| 2500+ | 104.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK2R9E10PL,S1X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK2R9E10PL,S1X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
TK2R9E10PL,S1X Код товару: 189702
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
TK2R9E10PL,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |