TK30A06N1,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30A06N1,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm.
Інші пропозиції TK30A06N1,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK30A06N1,S4X(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK30A06N1,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 136 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK30A06N1,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK30A06N1,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK30A06N1,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK30A06N1,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK30A06N1,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK30A06N1,S4X(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)