Продукція > TOSHIBA > TK30A06N1,S4X(S
TK30A06N1,S4X(S

TK30A06N1,S4X(S Toshiba


tk30a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+37.37 грн
340+35.87 грн
500+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK30A06N1,S4X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK30A06N1,S4X(S за ціною від 34.58 грн до 82.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X(S Виробник : Toshiba tk30a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+37.37 грн
340+35.87 грн
500+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X(S Виробник : TOSHIBA TOSC-S-A0001057234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.24 грн
20+42.48 грн
100+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X(S Виробник : Toshiba tk30a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X(S Виробник : Toshiba tk30a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X(S Виробник : Toshiba tk30a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.