| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.71 грн |
| 10+ | 52.97 грн |
| 100+ | 32.07 грн |
| 250+ | 31.29 грн |
| 500+ | 25.81 грн |
| 1000+ | 23.07 грн |
| 5000+ | 20.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30A06N1,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK30A06N1,S4X за ціною від 28.20 грн до 96.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK30A06N1,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SISInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|