
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.33 грн |
10+ | 54.78 грн |
100+ | 36.55 грн |
250+ | 35.74 грн |
500+ | 28.70 грн |
1000+ | 24.44 грн |
5000+ | 24.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30E06N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 53W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TK30E06N1,S1X за ціною від 58.42 грн до 101.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK30E06N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
TK30E06N1,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
TK30E06N1,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |