TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.27 грн |
| 50+ | 58.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 53W (Tc).
Інші пропозиції TK30E06N1,S1X за ціною від 26.58 грн до 101.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK30E06N1,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|