на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.01 грн |
| 10+ | 71.4 грн |
| 100+ | 48.67 грн |
| 500+ | 41.26 грн |
| 1000+ | 33.58 грн |
| 2000+ | 31.64 грн |
| 4000+ | 30.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK30S06K3L(T6L1,NQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK30S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
товар відсутній |
|
 |
TK30S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V |
товар відсутній |