на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 292.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31E60W,S1VX(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK31E60W,S1VX(S за ціною від 191.89 грн до 823.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK31E60W,S1VX(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |