Продукція > TOSHIBA > TK31E60W,S1VX(S
TK31E60W,S1VX(S

TK31E60W,S1VX(S Toshiba


10tk31e60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+446.29 грн
43+285.02 грн
53+230.25 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31E60W,S1VX(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK31E60W,S1VX(S за ціною від 229.46 грн до 591.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+491.43 грн
39+313.48 грн
50+254.51 грн
100+229.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Виробник : TOSHIBA TOSCS48799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+591.13 грн
10+345.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S Виробник : TOSHIBA TK31E60W THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.