Продукція > TOSHIBA > TK31E60W,S1VX(S
TK31E60W,S1VX(S

TK31E60W,S1VX(S Toshiba

10tk31e60w_en_datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+328.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31E60W,S1VX(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK31E60W,S1VX(S за ціною від 217.29 грн до 567.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+331.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+420.53 грн
53+267.87 грн
100+217.29 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+515.13 грн
43+328.98 грн
53+265.76 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+567.23 грн
39+361.83 грн
50+293.76 грн
100+264.85 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TK31E60W,S1VX(S TOSHIBA TOSCS48799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S 10tk31e60w_en_datasheet.pdf
TK31E60W,S1VX(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+331.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S 10tk31e60w_en_datasheet.pdf
TK31E60W,S1VX(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+420.53 грн
53+267.87 грн
100+217.29 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S 10tk31e60w_en_datasheet.pdf
TK31E60W,S1VX(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+515.13 грн
43+328.98 грн
53+265.76 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S 10tk31e60w_en_datasheet.pdf
TK31E60W,S1VX(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+567.23 грн
39+361.83 грн
50+293.76 грн
100+264.85 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX(S TOSCS48799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK31E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.