Продукція > TOSHIBA > TK31E60W,S1VX
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX Toshiba


10tk31e60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+252.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31E60W,S1VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK31E60W,S1VX за ціною від 263.71 грн до 524.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba TK31E60W_datasheet_en_20131226-1140000.pdf MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.1 грн
10+ 451.08 грн
50+ 391.59 грн
100+ 329.3 грн
250+ 319.36 грн
500+ 294.19 грн
1000+ 263.71 грн
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13524&prodName=TK31E60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товар відсутній