Продукція > TOSHIBA > TK31E60W,S1VX
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX Toshiba

10tk31e60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+387.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31E60W,S1VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK31E60W,S1VX за ціною від 297.97 грн до 630.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13524&prodName=TK31E60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+543.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba TK31E60W_datasheet_en_20131226-1140000.pdf MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.18 грн
10+596.70 грн
50+330.26 грн
100+308.98 грн
250+306.77 грн
500+297.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX Виробник : Toshiba 10tk31e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.