Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31E60W,S1VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK31E60W,S1VX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK31E60W,S1VX | Toshiba |
 MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK31E60W,S1VX | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK31E60W,S1VX |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK31E60W,S1VX |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)