
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 392.15 грн |
10+ | 335.07 грн |
50+ | 275.95 грн |
100+ | 233.38 грн |
250+ | 226.04 грн |
500+ | 209.90 грн |
1000+ | 181.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31E60X,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK31E60X,S1X за ціною від 300.37 грн до 393.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK31E60X,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
TK31E60X,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
TK31E60X,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |