TK31N60W,S1VF


docget.jsp?did=13612&prodName=TK31N60W
Код товару: 129935
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK31N60W,S1VF за ціною від 357.90 грн до 819.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK31N60W,S1VF TK31N60W,S1VF Виробник : Toshiba C11E7B2D9590FCF1136CC28F2064EBA83021A677FFF3413AEE8926F9B9813666.pdf MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.76 грн
10+652.81 грн
120+357.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF Виробник : Toshiba docget.jsp?did=13612&prodName=TK31N60W MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF TK31N60W,S1VF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13612&prodName=TK31N60W Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.