Продукція > TOSHIBA > TK31N60W5,S1VF(S
TK31N60W5,S1VF(S

TK31N60W5,S1VF(S Toshiba

11tk31n60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+551.52 грн
10+495.88 грн
25+449.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31N60W5,S1VF(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 230W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm.

Інші пропозиції TK31N60W5,S1VF(S за ціною від 495.88 грн до 551.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF(S Toshiba 11tk31n60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+551.52 грн
29+495.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(S TK31N60W5,S1VF(S TOSHIBA 3934689.pdf Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(S 11tk31n60w5_datasheet_en_20140225.pdf.pdf
TK31N60W5,S1VF(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+551.52 грн
29+495.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W5,S1VF(S 3934689.pdf
TK31N60W5,S1VF(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.