Продукція > TOSHIBA > TK31V60W,LVQ(S
TK31V60W,LVQ(S

TK31V60W,LVQ(S Toshiba

1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin DFN EP
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+443.46 грн
10+403.72 грн
25+376.87 грн
50+336.49 грн
100+280.64 грн
250+227.92 грн
500+218.35 грн
1000+207.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31V60W,LVQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK31V60W,LVQ(S за ціною від 207.54 грн до 443.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin DFN EP
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+443.46 грн
35+403.72 грн
38+376.87 грн
50+336.49 грн
100+280.64 грн
250+227.92 грн
500+218.35 грн
1000+207.54 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S TOSHIBA TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S TOSHIBA TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(S 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf
TK31V60W,LVQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin DFN EP
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+443.46 грн
35+403.72 грн
38+376.87 грн
50+336.49 грн
100+280.64 грн
250+227.92 грн
500+218.35 грн
1000+207.54 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(S TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK31V60W,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W,LVQ(S TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK31V60W,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.