Продукція > TOSHIBA > TK31V60W5,LVQ(S
TK31V60W5,LVQ(S

TK31V60W5,LVQ(S Toshiba

126862616083375126862323122019tk31v60w5_datasheet_en_20160830.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+325.94 грн
50+294.09 грн
200+243.52 грн
500+224.88 грн
1000+189.13 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31V60W5,LVQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK31V60W5,LVQ(S за ціною від 213.75 грн до 430.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5,LVQ(S Toshiba 126862616083375126862323122019tk31v60w5_datasheet_en_20160830.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+430.84 грн
38+378.15 грн
50+300.88 грн
200+275.46 грн
500+227.88 грн
1000+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5,LVQ(S TOSHIBA 3622509.pdf Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5,LVQ(S TOSHIBA 3622509.pdf Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(S 126862616083375126862323122019tk31v60w5_datasheet_en_20160830.pdf.pdf
TK31V60W5,LVQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+430.84 грн
38+378.15 грн
50+300.88 грн
200+275.46 грн
500+227.88 грн
1000+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(S 3622509.pdf
TK31V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ(S 3622509.pdf
TK31V60W5,LVQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.