TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 146.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK31V60W5,LVQ за ціною від 132.34 грн до 393.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK31V60W5,LVQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK31V60W5,LVQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A |
на замовлення 9996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK31V60W5,LVQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |