TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage


TK31V60W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=28827&prodName=TK31V60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+141.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TK31V60W5,LVQ за ціною від 128.00 грн до 370.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK31V60W5,LVQ TK31V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=28827&prodName=TK31V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TA)
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.24 грн
10+236.97 грн
100+169.30 грн
500+131.78 грн
1000+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ TK31V60W5,LVQ Toshiba 04F529F09B0E146F8D4B27C8259747612426C3EF4B2C30336678058200AF34A0.pdf MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ TK31V60W5_datasheet_en_20160830.pdf?did=28827&prodName=TK31V60W5
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TA)
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+370.24 грн
10+236.97 грн
100+169.30 грн
500+131.78 грн
1000+128.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60W5,LVQ 04F529F09B0E146F8D4B27C8259747612426C3EF4B2C30336678058200AF34A0.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.