Продукція > TOSHIBA > TK31V60X,LQ(S
TK31V60X,LQ(S

TK31V60X,LQ(S TOSHIBA

3622510.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+232.79 грн
500+198.87 грн
1000+179.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK31V60X,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK31V60X,LQ(S за ціною від 179.94 грн до 479.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK31V60X,LQ(S TK31V60X,LQ(S Виробник : Toshiba 147tk31v60x_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+448.45 грн
33+380.16 грн
50+289.45 грн
200+262.41 грн
500+213.85 грн
1000+200.05 грн
2500+192.19 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(S TK31V60X,LQ(S Виробник : TOSHIBA 3622510.pdf Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+479.13 грн
10+321.67 грн
100+232.79 грн
500+198.87 грн
1000+179.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK31V60X,LQ(S TK31V60X,LQ(S Виробник : Toshiba 147tk31v60x_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.