Продукція > TOSHIBA > TK32E12N1,S1X(S

TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA

Name: TK32E12N1,S1X(S
Brand: TOSHIBA
SKU: 423154-6
Price: 905.73 UAH
Availability: InStock

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	129.39 грн
13+	68.28 грн
100+	61.86 грн
500+	46.74 грн
1000+	37.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK32E12N1,S1X(S

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
TK32E12N1,S1X(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine	на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TK32E12N1,S1X(S	Виробник : Toshiba	Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TK32E12N1,S1X(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A On-state resistance: 13.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 98W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TK32E12N1,S1X(S	Виробник : TOSHIBA	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A On-state resistance: 13.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 98W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.