Інші пропозиції TK32E12N1,S1X за ціною від 76.42 грн до 158.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK32E12N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
TK32E12N1,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||
|
TK32E12N1,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC |
товару немає в наявності |



