Продукція > TOSHIBA > TK33S10N1L,LQ(O
TK33S10N1L,LQ(O

TK33S10N1L,LQ(O TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.19 грн
5+98.09 грн
12+78.17 грн
32+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1L,LQ(O TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 33A, Power dissipation: 125W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16.2mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 33nC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції TK33S10N1L,LQ(O за ціною від 88.28 грн до 140.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK33S10N1L,LQ(O TK33S10N1L,LQ(O Виробник : TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.63 грн
5+122.24 грн
12+93.80 грн
32+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1L,LQ(O Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.