| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.84 грн |
| 10+ | 109.18 грн |
| 25+ | 91.42 грн |
| 100+ | 68.15 грн |
| 500+ | 55.56 грн |
| 1000+ | 53.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK33S10N1L,LQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: DPAK+, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc).
Інші пропозиції TK33S10N1L,LQ за ціною від 119.31 грн до 192.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK33S10N1L,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|