Продукція > TOSHIBA > TK33S10N1Z,LQ(O
TK33S10N1Z,LQ(O

TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba

tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+112.51 грн
138+102.45 грн
169+83.36 грн
200+75.19 грн
1000+61.67 грн
2000+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm.

Інші пропозиції TK33S10N1Z,LQ(O за ціною від 57.62 грн до 190.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+190.13 грн
152+93.00 грн
200+84.76 грн
1000+66.47 грн
2000+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(O tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf
TK33S10N1Z,LQ(O
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+190.13 грн
152+93.00 грн
200+84.76 грн
1000+66.47 грн
2000+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(O
TK33S10N1Z,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ(O
TK33S10N1Z,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.