Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK33S10N1Z,LQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.12 грн
4000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK33S10N1Z,LQ за ціною від 46.97 грн до 161.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+69.96 грн
219+64.70 грн
250+61.46 грн
500+56.78 грн
1000+54.37 грн
3000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.66 грн
11+68.79 грн
25+68.39 грн
100+64.96 грн
250+59.23 грн
500+55.98 грн
1000+55.11 грн
3000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.60 грн
10+100.22 грн
100+68.18 грн
500+51.11 грн
1000+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z,LQ Toshiba F5EE2FA17276899683E6FA572FA3A7D19E620CC9A632D148FD9393E46B1567E8.pdf MOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf
TK33S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+69.96 грн
219+64.70 грн
250+61.46 грн
500+56.78 грн
1000+54.37 грн
3000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf
TK33S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+75.66 грн
11+68.79 грн
25+68.39 грн
100+64.96 грн
250+59.23 грн
500+55.98 грн
1000+55.11 грн
3000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ TK33S10N1Z_datasheet_en_20200624.pdf?did=15152&prodName=TK33S10N1Z
TK33S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.60 грн
10+100.22 грн
100+68.18 грн
500+51.11 грн
1000+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK33S10N1Z,LQ F5EE2FA17276899683E6FA572FA3A7D19E620CC9A632D148FD9393E46B1567E8.pdf
TK33S10N1Z,LQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.