на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 162.22 грн |
| 10+ | 155.67 грн |
| 50+ | 73.42 грн |
| 100+ | 63.86 грн |
| 500+ | 47.67 грн |
| 1000+ | 42.30 грн |
| 2500+ | 42.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK34E10N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK34E10N1,S1X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK34E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товару немає в наявності |
|
 |
TK34E10N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |