Продукція > TOSHIBA > TK35E08N1,S1X(S
TK35E08N1,S1X(S

TK35E08N1,S1X(S Toshiba

156docget.jsplangenpidtk35e08n1typedatasheet.jsplangenpidtk35e08n1ty.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK35E08N1,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 72W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.

Інші пропозиції TK35E08N1,S1X(S за ціною від 62.54 грн до 62.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK35E08N1,S1X(S TK35E08N1,S1X(S Toshiba 156docget.jsplangenpidtk35e08n1typedatasheet.jsplangenpidtk35e08n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(S TK35E08N1,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(S 156docget.jsplangenpidtk35e08n1typedatasheet.jsplangenpidtk35e08n1ty.pdf
TK35E08N1,S1X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35E08N1,S1X(S
TK35E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.