на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 85.19 грн |
| 10+ | 69.04 грн |
| 100+ | 47.56 грн |
| 500+ | 38.53 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| 5000+ | 29.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK35E08N1,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK35E08N1,S1X за ціною від 79.35 грн до 92.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK35E08N1,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
TK35E08N1,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товару немає в наявності |