Продукція > TOSHIBA > TK380A65Y,S4X(S

TK380A65Y,S4X(S Toshiba


13202docget.jspdid53848prodnametk380a65y.jspdid53848prodnametk380a65y..pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+158.05 грн
500+141.66 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK380A65Y,S4X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 30W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm.

Інші пропозиції TK380A65Y,S4X(S за ціною від 112.65 грн до 158.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK380A65Y,S4X(S TK380A65Y,S4X(S Toshiba 13202docget.jspdid53848prodnametk380a65y.jspdid53848prodnametk380a65y..pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+158.05 грн
500+141.66 грн
1000+131.12 грн
10000+112.65 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S TK380A65Y,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S Toshiba 13202docget.jspdid53848prodnametk380a65y.jspdid53848prodnametk380a65y..pdf MOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S 13202docget.jspdid53848prodnametk380a65y.jspdid53848prodnametk380a65y..pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
223+158.05 грн
500+141.66 грн
1000+131.12 грн
10000+112.65 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380A65Y,S4X(S 13202docget.jspdid53848prodnametk380a65y.jspdid53848prodnametk380a65y..pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.