Продукція > TOSHIBA > TK380P60Y,RQ(S
TK380P60Y,RQ(S

TK380P60Y,RQ(S Toshiba

13208docget.jspdid55882prodnametk380p60y.jspdid55882prodnametk380p60y..pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
101+139.55 грн
151+93.19 грн
163+86.64 грн
200+70.36 грн
1000+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK380P60Y,RQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK380P60Y,RQ(S за ціною від 63.53 грн до 128.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK380P60Y,RQ(S TK380P60Y,RQ(S TOSHIBA 3621099.pdf Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S TK380P60Y,RQ(S TOSHIBA 3621099.pdf Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S Toshiba 0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+92.86 грн
159+88.71 грн
250+85.15 грн
500+79.14 грн
1000+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S Toshiba 0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.78 грн
120+117.08 грн
147+95.89 грн
200+86.48 грн
1000+70.87 грн
2000+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S 3621099.pdf
TK380P60Y,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S 3621099.pdf
TK380P60Y,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S
Виробник: Toshiba
0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+92.86 грн
159+88.71 грн
250+85.15 грн
500+79.14 грн
1000+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S
Виробник: Toshiba
0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.78 грн
120+117.08 грн
147+95.89 грн
200+86.48 грн
1000+70.87 грн
2000+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.