Продукція > TOSHIBA > TK380P60Y,RQ(S
TK380P60Y,RQ(S

TK380P60Y,RQ(S TOSHIBA

3621099.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.80 грн
10+95.30 грн
100+67.31 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK380P60Y,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK380P60Y,RQ(S за ціною від 51.10 грн до 140.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK380P60Y,RQ(S TK380P60Y,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3621099.pdf Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.80 грн
10+95.30 грн
100+67.31 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S Виробник : Toshiba 0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+81.04 грн
159+77.41 грн
250+74.30 грн
500+69.06 грн
1000+61.86 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S Виробник : Toshiba 0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+112.38 грн
120+102.16 грн
147+83.68 грн
200+75.46 грн
1000+61.85 грн
2000+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
TK380P60Y,RQ(S Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.