
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
101+ | 120.90 грн |
151+ | 80.74 грн |
163+ | 75.06 грн |
200+ | 60.95 грн |
1000+ | 53.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK380P60Y,RQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK380P60Y,RQ(S за ціною від 55.04 грн до 148.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK380P60Y,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK380P60Y,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
TK380P60Y,RQ(S | Виробник : Toshiba | 0 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK380P60Y,RQ(S | Виробник : Toshiba | 0 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK380P60Y,RQ(S | Виробник : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
товару немає в наявності |