Продукція > TOSHIBA > TK39A60W,S4VX(M
TK39A60W,S4VX(M

TK39A60W,S4VX(M Toshiba

12tk39a60w_en_datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+359.42 грн
43+330.15 грн
50+283.32 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK39A60W,S4VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 50W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції TK39A60W,S4VX(M за ціною від 365.27 грн до 542.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M Toshiba 12tk39a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+430.84 грн
50+365.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M Toshiba 12tk39a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+542.06 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M TOSHIBA TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M 12tk39a60w_en_datasheet.pdf
TK39A60W,S4VX(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+430.84 грн
50+365.27 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M 12tk39a60w_en_datasheet.pdf
TK39A60W,S4VX(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+542.06 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK39A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.