Продукція > TOSHIBA > TK39A60W,S4VX(M
TK39A60W,S4VX(M

TK39A60W,S4VX(M Toshiba


12tk39a60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+311.39 грн
43+286.03 грн
50+245.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK39A60W,S4VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK39A60W,S4VX(M за ціною від 351.43 грн до 768.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M Виробник : Toshiba 12tk39a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+469.62 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M Виробник : TOSHIBA TOSCS48803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+768.13 грн
5+753.32 грн
10+738.50 грн
50+407.47 грн
100+358.49 грн
250+351.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX(M TK39A60W,S4VX(M Виробник : Toshiba 12tk39a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.