
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 830.54 грн |
10+ | 740.18 грн |
25+ | 612.81 грн |
100+ | 532.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK39J60W,S1VQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK39J60W,S1VQ за ціною від 851.05 грн до 851.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK39J60W,S1VQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
TK39J60W,S1VQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
TK39J60W,S1VQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |