.jpg "TK39J60W5,S1VQ")
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 843.11 грн |
| 25+ | 648.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK39J60W5,S1VQ за ціною від 441.08 грн до 925.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK39J60W5,S1VQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|